國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備協(xié)會(huì)的數(shù)據(jù)顯示，2018年半導(dǎo)體材料市場(chǎng)增長(zhǎng)到了490億美元，與2017年(470億美元)相比成長(zhǎng)了10%。預(yù)計(jì)今年將增長(zhǎng)2%，達(dá)到500億美元。

半導(dǎo)體材料主要用于前端（晶圓制造）和后端（封裝），其占比約為6：4。前端材料包括硅晶圓、光掩膜、光刻膠、光刻膠輔助材料、濕化學(xué)品、氣體、濺射靶材料、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)漿、研磨墊和一些新材料等。作為三大半導(dǎo)體材料，硅晶圓、光掩膜和氣體今年銷售額的增長(zhǎng)幅度將是最高的，預(yù)計(jì)分別能達(dá)到5800萬(wàn)美元、6500萬(wàn)美元和2000萬(wàn)美元。后端材料包括引線框架和基板、陶瓷封裝、封裝樹(shù)脂、鍵合線和粘合劑。電路板市場(chǎng)銷售額2017年的增長(zhǎng)率為5%，2018年為3%，今年將下降至1%，預(yù)計(jì)為6.34億美元。

從過(guò)去三年的半導(dǎo)體材料增長(zhǎng)率來(lái)看，前端材料遠(yuǎn)高于后端材料。2016年，前端材料銷售額增長(zhǎng)了3%，后端材料則下降了4%;2017年前后端分別增長(zhǎng)了13%和5%。去年分別增長(zhǎng)14%和3%。前端材料的增長(zhǎng)歸功于各種前端技術(shù)的積極使用，如極紫外(EUV)曝光，原子層沉積(ALD)和等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD)等。

另外，未來(lái)需要面對(duì)的不確定因素包括中美貿(mào)易爭(zhēng)端、匯率和國(guó)際金屬的價(jià)格變動(dòng)。作為后端材料之一的焊線在2016年開(kāi)始取代黃金且被廣泛使用，自此以來(lái)國(guó)際銅價(jià)一路飆升。材料的改變會(huì)對(duì)整裝材料的營(yíng)收產(chǎn)生負(fù)面影響。從大數(shù)據(jù)分析出，許多半導(dǎo)體材料供應(yīng)商都在日本，日本公司占據(jù)了半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的55%，因此日元下跌也可能會(huì)影響整裝材料的收入。同時(shí)，今年半導(dǎo)體市場(chǎng)增速開(kāi)始大幅放緩，僅增長(zhǎng)2.6%，遠(yuǎn)低于2017年的22%和2018年的15.9%。然而，預(yù)計(jì)到2020年，半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將強(qiáng)勁反彈20.7%，所有半導(dǎo)體和材料市場(chǎng)也有望以同樣的趨勢(shì)上漲。